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Global and Local Charge Trapping Effects in Crystalline Praseodymium Oxide High-K Gate Dielectric MOSFETs

Stefanov, Yordan ; Hess, Gisela ; Tzschöckel, Gerhard ; Schwalke, Udo (2004)
Global and Local Charge Trapping Effects in Crystalline Praseodymium Oxide High-K Gate Dielectric MOSFETs.
In: Proceedings of the 3rd International Conference on Semiconductor Technology (ICST)
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2004
Autor(en): Stefanov, Yordan ; Hess, Gisela ; Tzschöckel, Gerhard ; Schwalke, Udo
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Global and Local Charge Trapping Effects in Crystalline Praseodymium Oxide High-K Gate Dielectric MOSFETs
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 17 September 2004
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Proceedings of the 3rd International Conference on Semiconductor Technology (ICST)
Veranstaltungstitel: 3rd International Conference on Semiconductor Technology (ICST)
Veranstaltungsort: Shanghai, China
Veranstaltungsdatum: 15.-17.09.2004
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:20
Letzte Änderung: 20 Feb 2020 13:25
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