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Global and Local Charge Trapping Effects in Crystalline Praseodymium Oxide High-K Gate Dielectric MOSFETs

Stefanov, Yordan ; Hess, Gisela ; Tzschöckel, Gerhard ; Schwalke, Udo :
Global and Local Charge Trapping Effects in Crystalline Praseodymium Oxide High-K Gate Dielectric MOSFETs.
In: Proceedings of the 3rd International Conference on Semiconductor Technology (ICST)
[Artikel], (2004)

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2004
Autor(en): Stefanov, Yordan ; Hess, Gisela ; Tzschöckel, Gerhard ; Schwalke, Udo
Titel: Global and Local Charge Trapping Effects in Crystalline Praseodymium Oxide High-K Gate Dielectric MOSFETs
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Proceedings of the 3rd International Conference on Semiconductor Technology (ICST)
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Veranstaltungstitel: 3rd International Conference on Semiconductor Technology (ICST)
Veranstaltungsort: Shanghai, China
Veranstaltungsdatum: 15.-17.09.2004
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:20
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