Stefanov, Yordan ; Hess, Gisela ; Tzschöckel, Gerhard ; Schwalke, Udo
:
Global and Local Charge Trapping Effects in Crystalline Praseodymium Oxide High-K Gate Dielectric MOSFETs.
In:
Proceedings of the 3rd International Conference on Semiconductor Technology (ICST)
[Artikel], (2004)
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2004 |
| Autor(en): | Stefanov, Yordan ; Hess, Gisela ; Tzschöckel, Gerhard ; Schwalke, Udo |
| Titel: | Global and Local Charge Trapping Effects in Crystalline Praseodymium Oxide High-K Gate Dielectric MOSFETs |
| Sprache: | Englisch |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Proceedings of the 3rd International Conference on Semiconductor Technology (ICST) |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Veranstaltungstitel: | 3rd International Conference on Semiconductor Technology (ICST) |
| Veranstaltungsort: | Shanghai, China |
| Veranstaltungsdatum: | 15.-17.09.2004 |
| Hinterlegungsdatum: | 20 Nov 2008 08:20 |
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