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Electronic structure of the Si(111): GaSe van der Waals-like surface termination

Rudolph, R. ; Pettenkofer, C. ; Bostwick, A. A. ; Adams, J. A. ; Ohuchi, F. ; Olmstead, M. A. ; Jaeckel, B. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, W. (2005)
Electronic structure of the Si(111): GaSe van der Waals-like surface termination.
In: New Journal of Physics, 7
doi: 10.1088/1367-2630/7/1/108
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2005
Autor(en): Rudolph, R. ; Pettenkofer, C. ; Bostwick, A. A. ; Adams, J. A. ; Ohuchi, F. ; Olmstead, M. A. ; Jaeckel, B. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, W.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Electronic structure of the Si(111): GaSe van der Waals-like surface termination
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 29 April 2005
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: New Journal of Physics
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 7
DOI: 10.1088/1367-2630/7/1/108
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:20
Letzte Änderung: 20 Feb 2020 13:24
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