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Process Integration and Nanometer-Scale Electrical Characterization of Crystalline High-k Gate Dielectrics

Schwalke, Udo ; Stefanov, Yordan :
Process Integration and Nanometer-Scale Electrical Characterization of Crystalline High-k Gate Dielectrics.
[Online-Edition: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2004.11.047]
In: Microelectronics Reliability, 45 (5-6) pp. 790-793.
[Artikel], (2005)

Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2004.11.047
Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2005
Autor(en): Schwalke, Udo ; Stefanov, Yordan
Titel: Process Integration and Nanometer-Scale Electrical Characterization of Crystalline High-k Gate Dielectrics
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Microelectronics Reliability
Band: 45
(Heft-)Nummer: 5-6
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:19
Offizielle URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2004.11.047
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