Stefanov, Yordan ; Komaragiri, Rama Subrahmanyam ; Schwalke, Udo (2004)
Device Level and Nanoscale Electrical Characterization of Crystalline Praseodymium Oxide High-k Gate Dielectric MOSFETs.
In: Proceedings of the SEMATECH International Workshop on Electrical Characterization and Reliability for High-K Devices
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2004 |
| Autor(en): | Stefanov, Yordan ; Komaragiri, Rama Subrahmanyam ; Schwalke, Udo |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | Device Level and Nanoscale Electrical Characterization of Crystalline Praseodymium Oxide High-k Gate Dielectric MOSFETs |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 5 November 2004 |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Proceedings of the SEMATECH International Workshop on Electrical Characterization and Reliability for High-K Devices |
| Veranstaltungstitel: | SEMATECH International Workshop on Electrical Characterization and Reliability for High-K Devices |
| Veranstaltungsort: | Austin, TX, USA |
| Veranstaltungsdatum: | 04.-05.11.2004 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 20 Nov 2008 08:18 |
| Letzte Änderung: | 20 Feb 2020 13:25 |
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