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Device Level and Nanoscale Electrical Characterization of Crystalline Praseodymium Oxide High-k Gate Dielectric MOSFETs

Stefanov, Yordan ; Komaragiri, Rama Subrahmanyam ; Schwalke, Udo :
Device Level and Nanoscale Electrical Characterization of Crystalline Praseodymium Oxide High-k Gate Dielectric MOSFETs.
In: Proceedings of the SEMATECH International Workshop on Electrical Characterization and Reliability for High-K Devices
[Artikel], (2004)

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2004
Autor(en): Stefanov, Yordan ; Komaragiri, Rama Subrahmanyam ; Schwalke, Udo
Titel: Device Level and Nanoscale Electrical Characterization of Crystalline Praseodymium Oxide High-k Gate Dielectric MOSFETs
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Proceedings of the SEMATECH International Workshop on Electrical Characterization and Reliability for High-K Devices
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Veranstaltungstitel: SEMATECH International Workshop on Electrical Characterization and Reliability for High-K Devices
Veranstaltungsort: Austin, TX, USA
Veranstaltungsdatum: 04.-05.11.2004
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:18
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