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Tunnel Schottky contacts with 2D channel : a new mechanism of negative differential conductance

Feiginov, Michael N. :
Tunnel Schottky contacts with 2D channel : a new mechanism of negative differential conductance.
In: WOCSDICE, Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits <27, 2003, Fürigen>: Proceedings ...- Zürich: ETH Zentrum, 2003.- 126 S. . ETH Zentrum , Zürich
[Konferenz- oder Workshop-Beitrag], (2003)

Typ des Eintrags: Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Keine Angabe)
Erschienen: 2003
Autor(en): Feiginov, Michael N.
Titel: Tunnel Schottky contacts with 2D channel : a new mechanism of negative differential conductance
Sprache: Englisch
Reihe: WOCSDICE, Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits <27, 2003, Fürigen>: Proceedings ...- Zürich: ETH Zentrum, 2003.- 126 S.
Ort: Zürich
Verlag: ETH Zentrum
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:18
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