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Low frequency noise-based monitoring of the effects of RF and DC stress on AlGaN/GaN MODFETs

Valizadeh, P. ; Pavlidis, Dimitris :
Low frequency noise-based monitoring of the effects of RF and DC stress on AlGaN/GaN MODFETs.
In: GaAs IC Symposium <25, 2003, San Diego, Calif.>: Technical digest 2003 ...- Piscataway, NJ: IEEE Service Center, 2003.- 304 S.- ISBN 0-7803-7833-4.- S. 78-81 . IEEE Service Center , Piscataway, NJ
[Konferenz- oder Workshop-Beitrag], (2003)

Typ des Eintrags: Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Keine Angabe)
Erschienen: 2003
Autor(en): Valizadeh, P. ; Pavlidis, Dimitris
Titel: Low frequency noise-based monitoring of the effects of RF and DC stress on AlGaN/GaN MODFETs
Sprache: Englisch
Reihe: GaAs IC Symposium <25, 2003, San Diego, Calif.>: Technical digest 2003 ...- Piscataway, NJ: IEEE Service Center, 2003.- 304 S.- ISBN 0-7803-7833-4.- S. 78-81
Ort: Piscataway, NJ
Verlag: IEEE Service Center
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:18
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