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Large signal properties of AlGaN/GaN HEMTs on high resistivity substrates grown by MBE

Sutton, W. ; Pavlidis, Dimitris ; Lahrèche, H. ; Damilano, B. ; Langer, R. :
Large signal properties of AlGaN/GaN HEMTs on high resistivity substrates grown by MBE.
In: GAAS, European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium <11, 2003, München>: Proceedings ...- London: Horizon House Publ., 2003.- 540 S.- ISBN 1-580-53837-1 . Horizon House Publ. , London
[Konferenz- oder Workshop-Beitrag], (2003)

Typ des Eintrags: Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Keine Angabe)
Erschienen: 2003
Autor(en): Sutton, W. ; Pavlidis, Dimitris ; Lahrèche, H. ; Damilano, B. ; Langer, R.
Titel: Large signal properties of AlGaN/GaN HEMTs on high resistivity substrates grown by MBE
Sprache: Englisch
Reihe: GAAS, European Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductors Application Symposium <11, 2003, München>: Proceedings ...- London: Horizon House Publ., 2003.- 540 S.- ISBN 1-580-53837-1
Ort: London
Verlag: Horizon House Publ.
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:18
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