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Barium titanate as a good insulator for InP and GaN MIS device applications

Sumathi, R. R. ; Senthil Kumar, M. ; Kumar, J. :
Barium titanate as a good insulator for InP and GaN MIS device applications.
In: International School on Crystal Growth of Technologically Important Materials <2003, Mysore>: Proceedings ... ISCGTIEM-2003.- S. 184-188 .
[Konferenz- oder Workshop-Beitrag], (2003)

Typ des Eintrags: Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Keine Angabe)
Erschienen: 2003
Autor(en): Sumathi, R. R. ; Senthil Kumar, M. ; Kumar, J.
Titel: Barium titanate as a good insulator for InP and GaN MIS device applications
Sprache: Englisch
Reihe: International School on Crystal Growth of Technologically Important Materials <2003, Mysore>: Proceedings ... ISCGTIEM-2003.- S. 184-188
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Material- und Geowissenschaften
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:16
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