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Topographic and Conductive AFM Measurements on Carbon Nanotube Field-Effect Transistors Fabricated by In-Situ Chemical Vapor Deposition

Rispal, Lorraine ; Stefanov, Yordan ; Heller, Rudolf ; Tzschöckel, Gerhard ; Hess, Gisela ; Haberle, Klaus ; Schwalke, Udo :
Topographic and Conductive AFM Measurements on Carbon Nanotube Field-Effect Transistors Fabricated by In-Situ Chemical Vapor Deposition.
In: International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 12.-15.09.2005, Kobe, Japan.
[Konferenz- oder Workshop-Beitrag], (2005)

Typ des Eintrags: Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Keine Angabe)
Erschienen: 2005
Autor(en): Rispal, Lorraine ; Stefanov, Yordan ; Heller, Rudolf ; Tzschöckel, Gerhard ; Hess, Gisela ; Haberle, Klaus ; Schwalke, Udo
Titel: Topographic and Conductive AFM Measurements on Carbon Nanotube Field-Effect Transistors Fabricated by In-Situ Chemical Vapor Deposition
Sprache: Englisch
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Halbleitertechnik und Nanoelektronik
Veranstaltungstitel: International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
Veranstaltungsort: Kobe, Japan
Veranstaltungsdatum: 12.-15.09.2005
Hinterlegungsdatum: 20 Nov 2008 08:16
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