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Free excitons in strained MOCVD-grown GaN layers

Syrbu, N. N. ; Tiginyanu, I. M. ; Ursaki, V. V. ; Zalamai, V. V. ; Popa, V. ; Hubbard, S. M. ; Pavlidis, Dimitris (2003)
Free excitons in strained MOCVD-grown GaN layers.
In: MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research, 8 (1)
doi: 10.1557/S1092578300000442
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2003
Autor(en): Syrbu, N. N. ; Tiginyanu, I. M. ; Ursaki, V. V. ; Zalamai, V. V. ; Popa, V. ; Hubbard, S. M. ; Pavlidis, Dimitris
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Free excitons in strained MOCVD-grown GaN layers
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 1 Dezember 2003
Verlag: Springer Nature
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 8
(Heft-)Nummer: 1
DOI: 10.1557/S1092578300000442
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:28
Letzte Änderung: 19 Apr 2021 09:34
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