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Technologie und Charakterisierung von PIN-Diode und Heterostruktur-Bipolartransistoren im Materialsystem InP-InGaAs für die Integration optischer Empfänger

Goldhorn, Andreas :
Technologie und Charakterisierung von PIN-Diode und Heterostruktur-Bipolartransistoren im Materialsystem InP-InGaAs für die Integration optischer Empfänger.
Technische Univ. Darmstadt , Darmstadt
[Ph.D. Thesis]

Item Type: Ph.D. Thesis
Erschienen: 1996
Creators: Goldhorn, Andreas
Title: Technologie und Charakterisierung von PIN-Diode und Heterostruktur-Bipolartransistoren im Materialsystem InP-InGaAs für die Integration optischer Empfänger
Language: German
Place of Publication: Darmstadt
Publisher: Technische Univ. Darmstadt
Edition: Darmstadt: 1996. XIV,96 S.
Collation: XIV,96 S.
Divisions: 18 Department of Electrical Engineering and Information Technology
Date Deposited: 19 Nov 2008 15:56
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