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Technologie und Charakterisierung von PIN-Diode und Heterostruktur-Bipolartransistoren im Materialsystem InP-InGaAs für die Integration optischer Empfänger

Goldhorn, Andreas :
Technologie und Charakterisierung von PIN-Diode und Heterostruktur-Bipolartransistoren im Materialsystem InP-InGaAs für die Integration optischer Empfänger.
Technische Univ. Darmstadt , Darmstadt
[Dissertation]

Typ des Eintrags: Dissertation
Erschienen: 1996
Autor(en): Goldhorn, Andreas
Titel: Technologie und Charakterisierung von PIN-Diode und Heterostruktur-Bipolartransistoren im Materialsystem InP-InGaAs für die Integration optischer Empfänger
Sprache: Deutsch
Ort: Darmstadt
Verlag: Technische Univ. Darmstadt
Edition: Darmstadt: 1996. XIV,96 S.
Kollation: XIV,96 S.
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 15:56
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