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Temperature dependence of planar channeling radiation in silicon, germanium, and beryllium between 12 and 330 K

Buschhorn, G. ; Diedrich, E. ; Kufner, W. ; Rzepka, M. ; Genz, H. ; Hoffmann-Stascheck, P. ; Richter, A. :
Temperature dependence of planar channeling radiation in silicon, germanium, and beryllium between 12 and 330 K.
In: Physical review. B 55 (1997), S. 6196-6202
[Artikel], (1997)

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1997
Autor(en): Buschhorn, G. ; Diedrich, E. ; Kufner, W. ; Rzepka, M. ; Genz, H. ; Hoffmann-Stascheck, P. ; Richter, A.
Titel: Temperature dependence of planar channeling radiation in silicon, germanium, and beryllium between 12 and 330 K
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Physical review. B 55 (1997), S. 6196-6202
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Physik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:24
Zusätzliche Informationen:

Ersch. ebenf. als: Techn. Hochschule Darmstadt, FB 5, Inst. für Kernphysik: IKDA; 97/5

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