Hajo, Ahid S. ; Preu, Sascha ; Kochkurov, Leonid ; Kusserow, Thomas ; Yilmazoglu, Oktay (2022)
Fully Integrated THz Schottky Detectors Using Metallic Nanowires as Bridge Contacts.
In: IEEE Access, 2022, 9
doi: 10.26083/tuprints-00020836
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion
Kurzbeschreibung (Abstract)
This paper investigates fully integrated Terahertz (THz) Schottky detectors using silver (Ag) metallic nanowires (NWs) with 120 nm diameter as bridge contacts for zero-bias operating THz detectors based on highly doped Gallium Arsenide (GaAs) and Indium Gallium Arsenide (InGaAs) layers. The combination of InGaAs and metallic NWs shows improved performance at zero-bias than a GaAs based detector with a simulated capacitance of 0.5 fF and a series resistance of 29.7 Ω . Thus, the calculated maximum cut-off frequency of 2.6 THz was obtained for a NW contacted vertical InGaAs THz detector. Initial THz measurements were carried out using a common THz setup for frequencies up to 1.2 THz. A responsivity of 0.81 A/W and a low noise-equivalent power (NEP) value of 7 pW/√Hz at 1 THz were estimated using the measured IV-characteristics of the zero-bias NW-InGaAs based THz Schottky detector.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2022 |
| Autor(en): | Hajo, Ahid S. ; Preu, Sascha ; Kochkurov, Leonid ; Kusserow, Thomas ; Yilmazoglu, Oktay |
| Art des Eintrags: | Zweitveröffentlichung |
| Titel: | Fully Integrated THz Schottky Detectors Using Metallic Nanowires as Bridge Contacts |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 2022 |
| Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: | 2022 |
| Verlag: | IEEE |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | IEEE Access |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 9 |
| DOI: | 10.26083/tuprints-00020836 |
| URL / URN: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/20836 |
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| Herkunft: | Zweitveröffentlichungsservice |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | This paper investigates fully integrated Terahertz (THz) Schottky detectors using silver (Ag) metallic nanowires (NWs) with 120 nm diameter as bridge contacts for zero-bias operating THz detectors based on highly doped Gallium Arsenide (GaAs) and Indium Gallium Arsenide (InGaAs) layers. The combination of InGaAs and metallic NWs shows improved performance at zero-bias than a GaAs based detector with a simulated capacitance of 0.5 fF and a series resistance of 29.7 Ω . Thus, the calculated maximum cut-off frequency of 2.6 THz was obtained for a NW contacted vertical InGaAs THz detector. Initial THz measurements were carried out using a common THz setup for frequencies up to 1.2 THz. A responsivity of 0.81 A/W and a low noise-equivalent power (NEP) value of 7 pW/√Hz at 1 THz were estimated using the measured IV-characteristics of the zero-bias NW-InGaAs based THz Schottky detector. |
| Status: | Verlagsversion |
| URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-208366 |
| Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 600 Technik 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > THz Bauelemente und THz Systeme |
| Hinterlegungsdatum: | 04 Apr 2022 12:30 |
| Letzte Änderung: | 05 Apr 2022 12:06 |
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