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Simulation of predischarge processes in SF6/N2 mixtures stressed by very fast transient voltages

Pfeiffer, Wolfgang ; Schoen, D. ; Tong, L. :
Simulation of predischarge processes in SF6/N2 mixtures stressed by very fast transient voltages.
In: Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena <68, 1999, Austin, Texas>: Annual report. S. 391-394. - New York, NY: IEEE, 1999 . IEEE , New York, NY
[Konferenz- oder Workshop-Beitrag], (1999)

Typ des Eintrags: Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Keine Angabe)
Erschienen: 1999
Autor(en): Pfeiffer, Wolfgang ; Schoen, D. ; Tong, L.
Titel: Simulation of predischarge processes in SF6/N2 mixtures stressed by very fast transient voltages
Sprache: Englisch
Reihe: Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena <68, 1999, Austin, Texas>: Annual report. S. 391-394. - New York, NY: IEEE, 1999
Ort: New York, NY
Verlag: IEEE
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 16:22
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