Ágoston, Péter ; Körber, Christoph ; Klein, Andreas ; Puska, Martti J. ; Nieminen, Risto M. ; Albe, Karsten (2021)
Limits for n-type doping in In₂O₃ and SnO₂: A theoretical approach by first-principles calculations using hybrid-functional methodology.
In: Journal of Applied Physics, 108 (5)
doi: 10.26083/tuprints-00019925
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion
Kurzbeschreibung (Abstract)
The intrinsic n-type doping limits of tin oxide SnO₂ and indium oxide In₂O₃ are predicted on the basis of formation energies calculated by the density-functional theory using the hybrid-functional methodology. The results show that SnO₂ allows for a higher n-type doping level than In₂O₃. While n-type doping is intrinsically limited by compensating acceptor defects in In₂O₃, the experimentally measured lower conductivities in SnO₂-related materials are not a result of intrinsic limits. Our results suggest that by using appropriate dopants in SnO₂ higher conductivities similar to In₂O₃ should be attainable.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2021 |
| Autor(en): | Ágoston, Péter ; Körber, Christoph ; Klein, Andreas ; Puska, Martti J. ; Nieminen, Risto M. ; Albe, Karsten |
| Art des Eintrags: | Zweitveröffentlichung |
| Titel: | Limits for n-type doping in In₂O₃ and SnO₂: A theoretical approach by first-principles calculations using hybrid-functional methodology |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 2021 |
| Verlag: | AIP Publishing |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Journal of Applied Physics |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 108 |
| (Heft-)Nummer: | 5 |
| Kollation: | 6 Seiten |
| DOI: | 10.26083/tuprints-00019925 |
| URL / URN: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19925 |
| Zugehörige Links: | |
| Herkunft: | Zweitveröffentlichungsservice |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | The intrinsic n-type doping limits of tin oxide SnO₂ and indium oxide In₂O₃ are predicted on the basis of formation energies calculated by the density-functional theory using the hybrid-functional methodology. The results show that SnO₂ allows for a higher n-type doping level than In₂O₃. While n-type doping is intrinsically limited by compensating acceptor defects in In₂O₃, the experimentally measured lower conductivities in SnO₂-related materials are not a result of intrinsic limits. Our results suggest that by using appropriate dopants in SnO₂ higher conductivities similar to In₂O₃ should be attainable. |
| Status: | Verlagsversion |
| URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-199252 |
| Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Materialmodellierung 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung > Teilprojekt C2: Atomistische Computersimulationen von Defekten und deren Bewegung in Metalloxiden DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > C - Modellierung > Teilprojekt C3: Mikroskopische Untersuchungen zur Defektagglomeration und deren Auswirkungen auf die Beweglichkeit von Domänenwänden |
| Hinterlegungsdatum: | 17 Nov 2021 13:17 |
| Letzte Änderung: | 18 Nov 2021 06:06 |
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