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Quantitative characterization of dislocation density in alpha-SiC crystals after high-pressure sintering in Si3N4 matrix

Pezzotti, G. ; Kleebe, H.-J. (1996)
Quantitative characterization of dislocation density in alpha-SiC crystals after high-pressure sintering in Si3N4 matrix.
In: Journal of Materials Science Letters, 15 (6)
doi: 10.1007/bf00275413
Artikel, Bibliographie

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1996
Autor(en): Pezzotti, G. ; Kleebe, H.-J.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: Quantitative characterization of dislocation density in alpha-SiC crystals after high-pressure sintering in Si3N4 matrix
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 1996
Verlag: Springer
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Journal of Materials Science Letters
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 15
(Heft-)Nummer: 6
DOI: 10.1007/bf00275413
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Geowissenschaften > Fachgebiet Geomaterialwissenschaft
Hinterlegungsdatum: 17 Nov 2021 12:07
Letzte Änderung: 17 Nov 2021 12:07
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