Miao, Jianmin ; Tiginyanu, I. M. ; Hartnagel, Hans L. (1997)
The characteristics of high-resistance layers produced in n-GaAs using MeV-nitrogen implantation for three-dimensional structuring.
In: Applied Physics Letters, 70 (7)
doi: 10.1063/1.118222
Artikel, Bibliographie
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 1997 |
| Autor(en): | Miao, Jianmin ; Tiginyanu, I. M. ; Hartnagel, Hans L. |
| Art des Eintrags: | Bibliographie |
| Titel: | The characteristics of high-resistance layers produced in n-GaAs using MeV-nitrogen implantation for three-dimensional structuring |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 1997 |
| Verlag: | AIP Publishing |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Applied Physics Letters |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 70 |
| (Heft-)Nummer: | 7 |
| DOI: | 10.1063/1.118222 |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Mikrowellenelektronik |
| Hinterlegungsdatum: | 19 Nov 2008 15:55 |
| Letzte Änderung: | 13 Dez 2023 14:19 |
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