TU Darmstadt / ULB / TUbiblio

The characteristics of high-resistance layers produced in n-GaAs using MeV-nitrogen implantation for three-dimensional structuring

Miao, Jianmin ; Tiginyanu, ; Hartnagel, :
The characteristics of high-resistance layers produced in n-GaAs using MeV-nitrogen implantation for three-dimensional structuring.
In: Applied physics letters. 70 (1997), No. 7
[Artikel], (1997)

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 1997
Autor(en): Miao, Jianmin ; Tiginyanu, ; Hartnagel,
Titel: The characteristics of high-resistance layers produced in n-GaAs using MeV-nitrogen implantation for three-dimensional structuring
Sprache: Englisch
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Applied physics letters. 70 (1997), No. 7
Fachbereich(e)/-gebiet(e): Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
Hinterlegungsdatum: 19 Nov 2008 15:55
Export:

Optionen (nur für Redakteure)

Eintrag anzeigen Eintrag anzeigen