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Photoemission study and band alignment of the CuInSe₂(001)/CdS heterojunction

Schulmeyer, T. ; Hunger, R. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram ; Niki, S. (2021)
Photoemission study and band alignment of the CuInSe₂(001)/CdS heterojunction.
In: Applied Physics Letters, 84 (16)
doi: 10.26083/tuprints-00019885
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion

Kurzbeschreibung (Abstract)

The contact formation of thin-film epitaxial CuInSe₂(001) with a physical-vapor-deposited CdS layer is presented in this work. Synchrotron-excited photoelectron spectroscopy was used for this investigation. The epitaxial CuInSe₂ films contain a surface layer of reduced Cu stoichiometry similar to the ordered defect compound CuIn₃Se₅. A valence band offset of 0.79±0.15 eV has been determined for this heterojunction. The comparison to literature data indicates that neither surface orientation nor surface copper content have a major impact on the valence band offset of CuIn₃Se₅, respectively, CuInSe₂ with CdS.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2021
Autor(en): Schulmeyer, T. ; Hunger, R. ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram ; Niki, S.
Art des Eintrags: Zweitveröffentlichung
Titel: Photoemission study and band alignment of the CuInSe₂(001)/CdS heterojunction
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 2021
Verlag: AIP Publishing
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Applied Physics Letters
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 84
(Heft-)Nummer: 16
DOI: 10.26083/tuprints-00019885
URL / URN: https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19885
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Herkunft: Zweitveröffentlichungsservice
Kurzbeschreibung (Abstract):

The contact formation of thin-film epitaxial CuInSe₂(001) with a physical-vapor-deposited CdS layer is presented in this work. Synchrotron-excited photoelectron spectroscopy was used for this investigation. The epitaxial CuInSe₂ films contain a surface layer of reduced Cu stoichiometry similar to the ordered defect compound CuIn₃Se₅. A valence band offset of 0.79±0.15 eV has been determined for this heterojunction. The comparison to literature data indicates that neither surface orientation nor surface copper content have a major impact on the valence band offset of CuIn₃Se₅, respectively, CuInSe₂ with CdS.

Status: Verlagsversion
URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-198851
Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung
Hinterlegungsdatum: 12 Nov 2021 13:40
Letzte Änderung: 15 Nov 2021 06:52
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