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Band offset at the CuGaSe₂∕In₂S₃ heterointerface

Schulmeyer, T. ; Klein, Andreas ; Kniese, R. ; Powalla, Michael (2021)
Band offset at the CuGaSe₂∕In₂S₃ heterointerface.
In: Applied Physics Letters, 85 (6)
doi: 10.26083/tuprints-00019833
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion

Kurzbeschreibung (Abstract)

We have investigated the electronic properties of the CuGaSe₂/In2S₃ heterointerface by photoelectron spectroscopy. In₂S₃ was evaporated by physical vapor deposition onto contamination free polycrystalline CuGaSe₂ surface prepared by the selenium decapping process. A valence band offset DEVB=0.78±0.1 has been determined.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2021
Autor(en): Schulmeyer, T. ; Klein, Andreas ; Kniese, R. ; Powalla, Michael
Art des Eintrags: Zweitveröffentlichung
Titel: Band offset at the CuGaSe₂∕In₂S₃ heterointerface
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 2021
Verlag: AIP Publishing
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Applied Physics Letters
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 85
(Heft-)Nummer: 6
DOI: 10.26083/tuprints-00019833
URL / URN: https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19833
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Herkunft: Zweitveröffentlichungsservice
Kurzbeschreibung (Abstract):

We have investigated the electronic properties of the CuGaSe₂/In2S₃ heterointerface by photoelectron spectroscopy. In₂S₃ was evaporated by physical vapor deposition onto contamination free polycrystalline CuGaSe₂ surface prepared by the selenium decapping process. A valence band offset DEVB=0.78±0.1 has been determined.

Status: Verlagsversion
URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-198330
Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung
Hinterlegungsdatum: 08 Nov 2021 12:09
Letzte Änderung: 09 Nov 2021 06:11
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