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Band lineup between CdS and ultra high vacuum-cleaved CuInS₂ single crystals

Klein, Andreas ; Löher, T. ; Tomm, Y. ; Pettenkofer, C. ; Jaegermann, Wolfram (2021)
Band lineup between CdS and ultra high vacuum-cleaved CuInS₂ single crystals.
In: Applied Physics Letters, 70 (10)
doi: 10.26083/tuprints-00019832
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion

Kurzbeschreibung (Abstract)

The interface formation between vacuum evaporated CdS and ultrahigh vacuum-cleaved CuInS₂ single crystals has been studied by synchrotron excited photoelectron spectroscopy. The valence band discontinuity is determined directly from valence band difference spectra to be DEV 50.6 (60.1) eV. This value is significantly smaller than for other preparation conditions given in the literature and evidently not suitable for solar cell applications. The similarity to observations at the CdS/CuInSe₂ interfaces suggests that neutrality levels play a dominant role in establishing the band lineup at interfaces containing chalcopyrite semiconductors.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2021
Autor(en): Klein, Andreas ; Löher, T. ; Tomm, Y. ; Pettenkofer, C. ; Jaegermann, Wolfram
Art des Eintrags: Zweitveröffentlichung
Titel: Band lineup between CdS and ultra high vacuum-cleaved CuInS₂ single crystals
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 2021
Verlag: AIP Publishing
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Applied Physics Letters
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 70
(Heft-)Nummer: 10
DOI: 10.26083/tuprints-00019832
URL / URN: https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19832
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Herkunft: Zweitveröffentlichungsservice
Kurzbeschreibung (Abstract):

The interface formation between vacuum evaporated CdS and ultrahigh vacuum-cleaved CuInS₂ single crystals has been studied by synchrotron excited photoelectron spectroscopy. The valence band discontinuity is determined directly from valence band difference spectra to be DEV 50.6 (60.1) eV. This value is significantly smaller than for other preparation conditions given in the literature and evidently not suitable for solar cell applications. The similarity to observations at the CdS/CuInSe₂ interfaces suggests that neutrality levels play a dominant role in establishing the band lineup at interfaces containing chalcopyrite semiconductors.

Status: Verlagsversion
URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-198325
Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung
Hinterlegungsdatum: 08 Nov 2021 12:07
Letzte Änderung: 09 Nov 2021 06:12
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