Rein, M. H. ; Hohmann, M. V. ; Thøgersen, Annett ; Mayandi, Jeyanthinath ; Holt, Arve O. ; Klein, Andreas ; Monakhov, Eduard V. (2021)
An in situ x-ray photoelectron spectroscopy study of the initial stages of rf magnetron sputter deposition of indium tin oxide on p-type Si substrate.
In: Applied Physics Letters, 102 (2)
doi: 10.26083/tuprints-00019830
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion
Kurzbeschreibung (Abstract)
The interface between indium tin oxide and p-type silicon is studied by in situ X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). This is done by performing XPS without breaking vacuum after deposition of ultrathin layers in sequences. Elemental tin and indium are shown to be present at the interface, both after 2 and 10 s of deposition. In addition, the silicon oxide layer at the interface is shown to be composed of mainly silicon suboxides rather than silicon dioxide.
| Typ des Eintrags: | Artikel |
|---|---|
| Erschienen: | 2021 |
| Autor(en): | Rein, M. H. ; Hohmann, M. V. ; Thøgersen, Annett ; Mayandi, Jeyanthinath ; Holt, Arve O. ; Klein, Andreas ; Monakhov, Eduard V. |
| Art des Eintrags: | Zweitveröffentlichung |
| Titel: | An in situ x-ray photoelectron spectroscopy study of the initial stages of rf magnetron sputter deposition of indium tin oxide on p-type Si substrate |
| Sprache: | Englisch |
| Publikationsjahr: | 2021 |
| Verlag: | AIP Publishing |
| Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | Applied Physics Letters |
| Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 102 |
| (Heft-)Nummer: | 2 |
| Kollation: | 4 Seiten |
| DOI: | 10.26083/tuprints-00019830 |
| URL / URN: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19830 |
| Zugehörige Links: | |
| Herkunft: | Zweitveröffentlichungsservice |
| Kurzbeschreibung (Abstract): | The interface between indium tin oxide and p-type silicon is studied by in situ X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). This is done by performing XPS without breaking vacuum after deposition of ultrathin layers in sequences. Elemental tin and indium are shown to be present at the interface, both after 2 and 10 s of deposition. In addition, the silicon oxide layer at the interface is shown to be composed of mainly silicon suboxides rather than silicon dioxide. |
| Status: | Verlagsversion |
| URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-198304 |
| Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften DFG-Sonderforschungsbereiche (inkl. Transregio) > Sonderforschungsbereiche > SFB 595: Elektrische Ermüdung > D - Bauteileigenschaften > Teilprojekt D3: Funktion und Ermüdung oxidischer Elektroden in organischen Leuchtdioden |
| Hinterlegungsdatum: | 05 Nov 2021 13:11 |
| Letzte Änderung: | 08 Nov 2021 07:15 |
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