Jäckel, Bengt ; Fritsche, Rainer ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram (2021)
ZnS deposition onto bare and GaSe terminated Silicon-(111)-surfaces.
In: AIP Conference Proceedings, 772 (1)
doi: 10.26083/tuprints-00019829
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion
Kurzbeschreibung (Abstract)
The electronic properties and growth morphology of Si(111)/ZnS heterostructure modified by a GaSe van der Waals termination layer, which provides a chemical and an electronic passivation of the Si(111)‐surface is investigated by surface sensitive methods (STM, LEED and SXPS). The van der Waals termination layer suppresses the Si‐S interface reaction, which is observed for non terminated substrates. The interface electronic properties are nearly unchanged, but the morphology of the growing ZnS‐film is dramatically changed. With the passivation layer ZnS grows as orientated pyramides with a (111) base area surface orientaion and (100)‐facets. The sticking coefficient is reduced by a factor of ≈10 compared to bare Si(111), where ZnS grows as an untextured polycrystalline layer.
Typ des Eintrags: | Artikel |
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Erschienen: | 2021 |
Autor(en): | Jäckel, Bengt ; Fritsche, Rainer ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram |
Art des Eintrags: | Zweitveröffentlichung |
Titel: | ZnS deposition onto bare and GaSe terminated Silicon-(111)-surfaces |
Sprache: | Englisch |
Publikationsjahr: | 2021 |
Verlag: | AIP Publishing |
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: | AIP Conference Proceedings |
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: | 772 |
(Heft-)Nummer: | 1 |
Buchtitel: | AIP Conference Proceedings |
DOI: | 10.26083/tuprints-00019829 |
URL / URN: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19829 |
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Herkunft: | Zweitveröffentlichungsservice |
Kurzbeschreibung (Abstract): | The electronic properties and growth morphology of Si(111)/ZnS heterostructure modified by a GaSe van der Waals termination layer, which provides a chemical and an electronic passivation of the Si(111)‐surface is investigated by surface sensitive methods (STM, LEED and SXPS). The van der Waals termination layer suppresses the Si‐S interface reaction, which is observed for non terminated substrates. The interface electronic properties are nearly unchanged, but the morphology of the growing ZnS‐film is dramatically changed. With the passivation layer ZnS grows as orientated pyramides with a (111) base area surface orientaion and (100)‐facets. The sticking coefficient is reduced by a factor of ≈10 compared to bare Si(111), where ZnS grows as an untextured polycrystalline layer. |
Status: | Verlagsversion |
URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-198294 |
Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
Fachbereich(e)/-gebiet(e): | 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung |
Hinterlegungsdatum: | 05 Nov 2021 13:08 |
Letzte Änderung: | 08 Nov 2021 07:14 |
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