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ZnS deposition onto bare and GaSe terminated Silicon-(111)-surfaces

Jäckel, Bengt ; Fritsche, Rainer ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram (2021)
ZnS deposition onto bare and GaSe terminated Silicon-(111)-surfaces.
In: AIP Conference Proceedings, 772 (1)
doi: 10.26083/tuprints-00019829
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion

Kurzbeschreibung (Abstract)

The electronic properties and growth morphology of Si(111)/ZnS heterostructure modified by a GaSe van der Waals termination layer, which provides a chemical and an electronic passivation of the Si(111)‐surface is investigated by surface sensitive methods (STM, LEED and SXPS). The van der Waals termination layer suppresses the Si‐S interface reaction, which is observed for non terminated substrates. The interface electronic properties are nearly unchanged, but the morphology of the growing ZnS‐film is dramatically changed. With the passivation layer ZnS grows as orientated pyramides with a (111) base area surface orientaion and (100)‐facets. The sticking coefficient is reduced by a factor of ≈10 compared to bare Si(111), where ZnS grows as an untextured polycrystalline layer.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2021
Autor(en): Jäckel, Bengt ; Fritsche, Rainer ; Klein, Andreas ; Jaegermann, Wolfram
Art des Eintrags: Zweitveröffentlichung
Titel: ZnS deposition onto bare and GaSe terminated Silicon-(111)-surfaces
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 2021
Verlag: AIP Publishing
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: AIP Conference Proceedings
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 772
(Heft-)Nummer: 1
Buchtitel: AIP Conference Proceedings
DOI: 10.26083/tuprints-00019829
URL / URN: https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19829
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Herkunft: Zweitveröffentlichungsservice
Kurzbeschreibung (Abstract):

The electronic properties and growth morphology of Si(111)/ZnS heterostructure modified by a GaSe van der Waals termination layer, which provides a chemical and an electronic passivation of the Si(111)‐surface is investigated by surface sensitive methods (STM, LEED and SXPS). The van der Waals termination layer suppresses the Si‐S interface reaction, which is observed for non terminated substrates. The interface electronic properties are nearly unchanged, but the morphology of the growing ZnS‐film is dramatically changed. With the passivation layer ZnS grows as orientated pyramides with a (111) base area surface orientaion and (100)‐facets. The sticking coefficient is reduced by a factor of ≈10 compared to bare Si(111), where ZnS grows as an untextured polycrystalline layer.

Status: Verlagsversion
URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-198294
Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung
Hinterlegungsdatum: 05 Nov 2021 13:08
Letzte Änderung: 08 Nov 2021 07:14
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