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Reversible Barrier Switching of ZnO/RuO₂ Schottky Diodes

Wendel, Philipp ; Dietz, Dominik ; Deuermeier, Jonas ; Klein, Andreas (2021)
Reversible Barrier Switching of ZnO/RuO₂ Schottky Diodes.
In: Materials, 2021, 14 (10)
doi: 10.26083/tuprints-00019377
Artikel, Zweitveröffentlichung, Verlagsversion

Kurzbeschreibung (Abstract)

The current-voltage characteristics of ZnO/RuO₂ Schottky diodes prepared by magnetron sputtering are shown to exhibit a reversible hysteresis behavior, which corresponds to a variation of the Schottky barrier height between 0.9 and 1.3 eV upon voltage cycling. The changes in the barrier height are attributed to trapping and de-trapping of electrons in oxygen vacancies.

Typ des Eintrags: Artikel
Erschienen: 2021
Autor(en): Wendel, Philipp ; Dietz, Dominik ; Deuermeier, Jonas ; Klein, Andreas
Art des Eintrags: Zweitveröffentlichung
Titel: Reversible Barrier Switching of ZnO/RuO₂ Schottky Diodes
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: 2021
Publikationsdatum der Erstveröffentlichung: 2021
Verlag: MDPI
Titel der Zeitschrift, Zeitung oder Schriftenreihe: Materials
Jahrgang/Volume einer Zeitschrift: 14
(Heft-)Nummer: 10
Kollation: 7 Seiten
DOI: 10.26083/tuprints-00019377
URL / URN: https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/19377
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Herkunft: Zweitveröffentlichung aus gefördertem Golden Open Access
Kurzbeschreibung (Abstract):

The current-voltage characteristics of ZnO/RuO₂ Schottky diodes prepared by magnetron sputtering are shown to exhibit a reversible hysteresis behavior, which corresponds to a variation of the Schottky barrier height between 0.9 and 1.3 eV upon voltage cycling. The changes in the barrier height are attributed to trapping and de-trapping of electrons in oxygen vacancies.

Status: Verlagsversion
URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-193772
Zusätzliche Informationen:

Keywords: Schottky barrier; resistive switching; zinc oxide; ruthenium oxide; oxygen vacancies

Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikatin (DDC): 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft
11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Elektronenstruktur von Materialien
Hinterlegungsdatum: 26 Aug 2021 12:14
Letzte Änderung: 31 Aug 2021 05:15
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