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A High-Efficiency GaN Transistor Module with Thick-Film BST-Based Tunable Matching Network

Preis, S. ; Wiens, A. ; Lia, E. ; Heinrich, W. ; Jakoby, R. ; Maune, H. ; Bengtsson, O. (2018)
A High-Efficiency GaN Transistor Module with Thick-Film BST-Based Tunable Matching Network.
2018 48th European Microwave Conference (EuMC).
doi: 10.23919/EuMC.2018.8541808
Konferenzveröffentlichung, Bibliographie

Typ des Eintrags: Konferenzveröffentlichung
Erschienen: 2018
Autor(en): Preis, S. ; Wiens, A. ; Lia, E. ; Heinrich, W. ; Jakoby, R. ; Maune, H. ; Bengtsson, O.
Art des Eintrags: Bibliographie
Titel: A High-Efficiency GaN Transistor Module with Thick-Film BST-Based Tunable Matching Network
Sprache: Englisch
Publikationsjahr: September 2018
Veranstaltungstitel: 2018 48th European Microwave Conference (EuMC)
DOI: 10.23919/EuMC.2018.8541808
Freie Schlagworte: barium compounds;code division multiple access;gallium compounds;high electron mobility transistors;III-V semiconductors;Long Term Evolution;strontium compounds;UHF power amplifiers;varactors;wide band gap semiconductors;robust tunable devices;frequency agility;power amplifier;high-efficiency GaN transistor module;GaN HEMT;tunable matching network;thick-film BST;thick-film barium-strontium-titanate varactors package;LTE measurements;WCDMA measurements;temperature 20.0 degC to 80.0 degC;frequency 1.5 GHz to 2.45 GHz;GaN;(BaSr)TiO3;Varactors;Temperature measurement;Aluminum oxide;Substrates;Transistors;Thermal conductivity;Conductivity;Barium-Strontium-Titanate (BST);Ferroelectric films;Gallium nitride (GaN);HEMTs;Power amplifiers;Power transistors;Tunable circuits;Varactors
Fachbereich(e)/-gebiet(e): 18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP) > Mikrowellentechnik
18 Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik > Institut für Mikrowellentechnik und Photonik (IMP)
Hinterlegungsdatum: 05 Feb 2019 13:10
Letzte Änderung: 05 Feb 2019 13:10
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